MOS管-传输特性曲线的细微之处

硬件微讲堂

已于 2023-01-28 11:40:30 修改

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分类专栏：器件篇文章标签：硬件

于 2023-01-28 11:34:47 首次发布

本文链接： https://blog.csdn.net/hjlmgchjlmgc/article/details/128776364

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本文介绍了场效应管（FET）的传输特性曲线，通过分析选择题深入探讨了N沟道增强型、耗尽型MOS管与N沟道JFET的差异，特别指出JFET的Vgs必须为负电压这一关键点。

摘要由CSDN通过智能技术生成

大家好，我是硬件微讲堂，这是我在CSDN的第3篇原创文章。为避免错过精彩干货知识，欢迎关注公号(硬件微讲堂)并加入免费技术交流群，共同进步！

今年在杭州过年，新年这几天，大部分时间都在看电视，但是无论怎么看，感觉都不香，于是爬起来看会儿书，舒服的感觉回来了。果真还是“学习让我快乐，进步让我安全”！

咱继续盘MOS管。

1、一个选择题

照例，先抛出一个选择题：如下两幅图所示，两组Id-Vgs传输特性曲线分别对应哪个管子？图1对应（），图2对应（）

A：BJT；

B：N沟道-增强型-MOS管；

C：N沟道-耗尽型-MOS管；

D：N沟道-JFET；

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