主流DDR2内存芯片编号解析

1 内存芯片编号

虽然DDR3内存规格早已经被确定，而且主流内存模组厂商也陆续发布了各自旗下的DDR3内存，但动辄数千元的零售价格让大众消费者望而却步。另一方面，就连一直看好DDR3内存前景的英特尔也不得不让新款P35主板同时支持DDR2和DDR3两种规格内存。从上可以看出，虽然DDR3内存前景广阔，但高昂的售价和缺乏主板平台支持，在短时间内仍无法撼动DDR2内存的主流王座地位。

图 1 1 内存芯片编号你究竟知道多少？
算起来，DDR2内存推出已经超过3个年头，规格也在不断进步，从最早的DDR2-400一路发展到目前的DDR2-1200。伴随着内存频率的不断提升，内存芯片制作工艺也有大幅改进，这点也就反映到内存芯片表面的编号规则。由于内存芯片编号规则繁杂，而且生产内存芯片的厂商数量也不少，因此很多消费者都不是很了解其中代表的含义。为了方便广大读者选购内存，了解内存芯片的技术特性，笔者特别整理了主流DDR2内存芯片编号规则。

1.1 韩国三星（SAMSUNG）

图 1 2韩国三星（SAMSUNG）DDR2内存芯片
以三星K4T1G084QA-ZCE6为例，K代表内存芯片，4代表DRAM，T代表DDR2内存，1G代表容量（51代表512MB），08代表位宽，4代表逻辑Bank数量，Q代表1.8V工作电压，A代表产品版本号，Z代表封装类型为FBGA-LF（G为FBGA，S为小尺寸FBGA），C代表普通能耗（L为低能耗），E6代表运行速度为DDR2-667•CL=5（D6为DDR2-667•CL=4，F7为DDR2-800•CL=6，E7为DDR2-800•CL=5）。

1.2 韩国海力士/现代（Hynix）

图 1 3韩国海力士/现代（Hynix）DDR2内存芯片
以现代HY5PS12821E FP-Y5为例，HY代表现代，5P代表DDR2内存，S代表1.8V工作电压，12代表芯片容量为512Mb（56为256Mb，1G为1Gb），8代表位宽，2代表逻辑Bank数量，1代表接口类型为SSTL_2，E代表版本号，F代表封装类型为FBGA，P代表无铅，Y5代表速度为DDR2-667•CL=5（S6为DDR2-800•CL=6，S5为DDR2-800•CL=5，Y4为DDR2-667•CL=4）。

1.3 日本尔必达（ELPIDA）

图 1 4日本尔必达（ELPIDA）DDR2内存芯片
以尔必达E2508AB-GE-E为例，E代表DDR2内存，25代表芯片容量为256Mb（51为512Mb，11为1Gb），08代表位宽，A代表1.8V工作电压，B代表内核版本，GE代表DDR2-800•CL=5（6C代表DDR2-667•CL=4，6E代表DDR2-667•CL=5），E代表无铅。

1.4 德国奇梦达（Qimonda）

图 1 5德国奇梦达（Qimonda）DDR2内存芯片
奇梦达就是原来的英飞凌，以奇梦达HYB18T512800AF37为例，HYB代表奇梦达，18代表工作电压为1.8V（25为2.5V），T代表DDR2内存，512代表芯片容量为512Mb（1G为1Gb，256为256Mb），80代表位宽，0代表产品系列，A代表版本号，F代表FBGA封装，37运行频率为DDR2-533（3为DDR2-667）。

1.5 美国镁光（Micron）

图 1 6镁光D9HNL芯片特写
Micron DDR2内存颗粒主要分为早期的大D9（Fat D9）系列和现在的小D9系列。大D9采用的是110nm的工艺，芯片尺寸看起来偏胖。大D9芯片的独到之处并不在于它可以提升到很高的频率，更重要的是它在高频率下的超低延迟参数。随着Micron转换了生产工艺，大D9颗粒早已经停产，取代它的是小D9芯片，比起大D9制造成本更低，超频能力也是非常强悍。

图 1 7镁光D9GMH芯片特写
Micron（镁光）小D9芯片系列中当属D9GKX、D9GMH和D9GCT最好超，继承了大D9的在高电压下的高频率以及低时序的传统特性。其中又以D9GKX和D9GMH比较出众，默认电压超频D9GKX小幅领先，但是D9GMH可以工作在2.6V甚至2.8V的电压下。

图 1 8镁光6ND22 D9GMH芯片
镁光DDR2内存芯片编号非常特别，封装上的编码并不是正规编号，而是一个特定编码，即使在官方网站上也不容易查到详细信息，因此查询起来非常费劲。以6ND22 D9GMH芯片为例，6ND22中的“6”代表06年生产，“N”代表一年中的奇数周（M则代表偶数周）。D9GMH是镁光早期DDR2-667芯片，当然由于镁光颗粒超频性能非常好，经常被模组厂拿来超频后当DDR2-800/ DDR2-1066卖。
表 1 1主流内存颗粒规格表

镁光D9HNL也是DDR2-667型号，不过颗粒采用70nm工艺，适合做单条2GB规格，但超频性能不如D9GMH。镁光D9GKX是默认DDR2-800频率的型号，CL延迟参数为5-5-5。

Micron内存DDR3型号查询

图1-9 Micron内存DDR3
丝印有两行：
第一行的数字代表了产地等生产信息
第二行是FBGA Code，通过这个可以在网址： 镁光官网搜到产品的完整型号！！

譬如上图是挂在FPGA上的DDR3，第二行是“D9PTK”
https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga

图1-10官方图
芯片的确为MT41K128M16JT-125:K

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
　　含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用16片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8

flash 芯片丝印识别 MT29F2G08ABAEA
MT29F2G08ABAEAWP-E 容量2G(256M*8Bit)NAND FLASH内存闪存芯片