一周产业热点
尽在芯片揭秘 ● 芯招商
本周新闻内容如下：
一、产业动态
行业新闻
1、三安集成三代半业务爆发，利润增长24倍
2、基本半导体碳化硅功率模块装车测试仪式在深举行
3、罗姆推出内置SiC二极管的新型混合IGBT
4、意法半导体成功制造出200mm碳化硅晶圆
产学研
1、中科院玻璃衬底上异质外延出准单晶氮化镓薄膜
投融资
1、新美光半导体再获数千万投资
2、云峰基金入股第三代半导体厂商聚力成
3、九鼎新材拟斥资数十亿加入第三代半导体赛道
4、英国多孔GaN材料研发商获2709万融资！
二、市场数据
1、2029年全球第三代半导体收入将超过50亿美元
三、重大项目
1、年产或达14亿！泰科天润6英寸SiC生产线通线
四、园区动态
1、总投资超100亿，多个三代半项目签约浙江台州
2、国家三代半技术创新中心（江苏）发布首批项目
五、研究报告
1、后摩尔时代，看好第三代半导体战略发展机遇
想及时获取「化合物半导体招商周报」或订阅更多细分领域半导体招商周报，请扫描下方二维码申请加入“芯招商交流群”。
产业动态
行业新闻
1、三安集成三代半业务爆发，利润增长24倍
7月29日，三安光电公布了上半年年报，三安集成上半年营收10.16亿元，超过2020全年营收；上半年利润约2.5亿元，同比增长170.57%，超过了2019年全年营收。
随着公司产能释放，公司迎来快速成长其中，上半年三安集成新开拓518家碳化硅二极管客户，出货客户超过180家，超过60种产品已进入量产阶段，在服务器电源、通信电源、光伏逆变器、充电桩、车载充电机、家电等细分应用市场标杆客户实现稳定供货，借助在欧美日韩等国家和地区的技术和销售布局，已与国际标杆客户实现战略合作，海外市场已有所突破。
在硅基氮化镓产品方面，完成约60家客户工程送样及系统验证，24家进入量产阶段，产品性能优越。2、基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳举行
7月29日，基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳成功举行，搭载自主研发碳化硅模块的测试车辆正式启程。测试车辆搭载的基本半导体车规级碳化硅功率模块，采用多芯片并联均流设计、铜带键合工艺、全银烧结连接等技术，具有高功率密度、高可靠性、低寄生电感、低热阻等特性，综合性能达到国际先进水平。
目前，基本半导体车规级碳化硅功率模块已通过器件级和控制器级的多项性能测试。为了验证产品性能及其实际应用表现，测试车队从深圳发车后，将进行高温、高湿、高寒等一系列恶劣环境的应用测试活动和长里程可靠性验证活动。
3、罗姆推出内置SiC二极管的新型混合IGBT
ROHM 开发了集成 650V SiC 肖特基势垒二极管的混合 IGBT ，即 RGWxx65C 系列（RGW60TS65CHR、 RGW80TS65CHR、 RGW00TS65CHR）。这些器件符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准。它们非常适合处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化车辆 (xEV) 中使用的 DC/DC 转换器。
RGWxx65C 系列在 IGBT 的反馈块中使用 ROHM 的低损耗 SiC 肖特基势垒二极管作为续流二极管，几乎没有恢复能量，因此二极管开关损耗最小。此外，由于在开启模式下恢复电流不必由 IGBT 处理，因此显着降低了 IGBT 的开启损耗。当用于车辆充电器时，与传统 IGBT 相比，这两种效应共同导致损耗降低了 67%，与超级结 MOSFET (SJ MOSFET) 相比，损耗可降低 24%。这种效果提供了良好的性价比，同时有助于降低工业和汽车应用中的功耗。
4、意法半导体成功制造出200mm碳化硅晶圆
7月27日消息，“意法半导体中国”官方微信宣布，意法半导体瑞典北雪平工厂成功制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。200mm的碳化硅晶圆相比与150mm的碳化硅晶圆相比，可用于制造集成电路的可用面积几乎扩大1 倍，使得产量和生产效率可以得到极大的提升。
此外，在良率方面，ST表示，依托于意法半导体碳化硅公司(前身是Norstel公司，2019年被ST收购)在SiC硅锭生长技术开发方面的深厚积累和沉淀，ST的首批200mm SiC晶圆片质量上乘，影响芯片良率和晶体位错的缺陷非常少。200nm碳化硅晶圆的合格芯片产量也达到了150mm碳化硅晶圆的1.8 - 1.9 倍。
不过，需要指出的是，目前SiC器件的生产线都还是150mm的产线，因此SiC晶圆升级到200mm，还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。目前ST正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。
产学研
1、国际首次，中科院玻璃衬底上异质外延出准单晶氮化镓薄膜
据科技日报报道，中国科学院院士、北京大学/北京石墨烯研究院院长刘忠范与中科院半导体所研究员刘志强、北京大学物理学院研究员高鹏等合作，提出了一种纳米柱辅助的范德华外延方法，国际上首次在玻璃衬底上成功异质外延出连续平整的准单晶氮化镓薄膜，并制备了蓝光发光二极管（LED）。
据悉，研究人员利用石墨烯的晶格来引导氮化物的晶格排列，在非晶玻璃上实现了氮化物的外延，得到了高质量的准单晶薄膜。他们进一步生长了蓝光LED结构，其内量子效率高达48.7%。此外，他们充分利用界面处弱的范德华作用力，将生长的外延结构机械剥离并制备了柔性的LED样品。
刘忠范表示，这一成果是典型的“从0到1”式的原创性突破，为石墨烯等二维材料的产业化应用提供了新思路，有望发展为氮化物变革性制备技术，解决先进半导体发展技术瓶颈，在新型显示、柔性电子学等领域具有重要应用前景。同时，该技术通过异质外延减弱了氮化物对单晶衬底的依赖，对于扩大半导体外延衬底选择范围、丰富半导体异质外延概念、实现面向后摩尔时代的片上物质组装和异构集成，具有重要意义。
投融资
1、新美光半导体再获数千万投资
2021年7月，新美光（苏州）半导体科技有限公司宣布完成数千万元B1轮融资，本轮融资由石溪资本独家战略入股。
新美光纳米科技是一家半导体硅片研发生产商，开发了一系列半导体硅晶圆（硅片）加工工艺和技术，生产出调试级硅片、测试级硅片、特殊硅片氧化硅片、镀铝硅片等产品，并提供硅片研磨、抛光、减薄、硅片再生、激光切割等加工服务。今年4月，姑苏实验室还与新美光（苏州）半导体科技有限公司联合攻关，研发化学气相沉积（CVD）SiC碳化硅部件产品。2、云峰基金入股第三代半导体厂商聚力成
7月25日，聚力成半导体（上海）有限公司披露了一项股权融资，投资方包括海南云锋基金中心（有限合伙）、中金公司全资子公司中金浦成、嘉力丰正投资、上海烁昕以及九泽投资，目前云峰基金持有聚力成2.27%的股权、中金浦成持股0.57%。
据了解，聚力成是由重庆捷舜科技有限公司投资设立。2018年9月，重庆大足区人民政府与重庆捷舜正式签约聚力成外延片和芯片产线项目，该项目以研发、生产第三代半导体氮化镓（GaN）外延片、芯片为主。3、九鼎新材拟斥资数十亿加入第三代半导体赛道
7月20日，九鼎新材宣布拟与正威金控共同以现金方式意向性收购天健九方持有的两家子公司不低于51%的股权，从而实现将芯片资产注入上市公司。九鼎新材董秘曹亚伟表示，若单纯以完成业绩承诺做支撑的话，标的公司估值大约60亿元。此次收购资金几乎均由正威集团支持。
据公告显示，天健九方将“Ka波段低轨卫星收发模组”、“智慧灯杆5G毫米波收发模组”、“5G毫米波CPE”等相关业务订单及对应的SIP封装多功能芯片产品及知识产权等注入标的公司九方迅达和中科迪高。
天健九方是专注于毫米波(包含但不仅限于W波段、E波段和Ka波段)的单片微波毫米波集成电路(MMIC)芯片和毫米波多功能芯片设计，毫米波模组、天线以及整机系统的设计研发、生产制造和毫米波技术服务的世界领先的高科技企业，致力于建设世界上最具创新力的毫米波技术公司，目前旗下共有54款自主芯片。4、英国多孔GaN材料研发商获2709万融资！
日前，英国多孔氮化镓 (GaN) 半导体材料技术研发商Porotech完成种子轮融资，本轮融资金额300万英镑（约合人民币2709万元），由专注于科技领域早期项目投资的Speedinvest领投，过往投资方 IQ Capital、Cambridge Enterprise、Martlet Capital 和 Cambridge Angels 跟投。
Porotech成立于2018年4月，曾于2019年底完成首轮150万英镑融资。Porotech CEO兼联合创始人朱彤彤博士介绍，本轮融资将主要用于：进一步开发新产品，行业客户和业务拓展以及团队扩充。
Porotech最初创办于剑桥大学材料科学与冶金院系氮化镓中心，团队基于在氮化镓领域的研究积累，率先开发出可工业化量产的新型多孔氮化镓半导体材料，现阶段主要应用于MicroLED领域，未来结合Porotech的多孔氮化镓技术平台和解决方案，也将进一步拓展能源产品、激光器、量子光源、传感器等领域。
行业数据
市场数据
1、2029年全球第三代半导体收入将超过50亿美元众所周知，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。前一个十年，第三代半导体材料已经在基站射频、功放等通信领域崭露头角；2021年，随着“十四五”规划的提出，中国将加速推动以SiC、GaN为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，受益于功率转换的极大应用潜力，第三代半导体开始进入新一轮的增长周期。
市场调研机构Omdia在《2020年SiC和GaN功率半导体报告》指出，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入，预计从2018年的5.71亿美元增至2020年底的8.54亿美元。预计未来十年，每年的市场收入以两位数增长，到2029年将超过50亿美元。其中，新能源汽车以及电源有望成为增量最大的两个应用市场。
项目动态
重大项目动态
1、年产或达14亿！泰科天润6英寸SiC生产线通线
7月22日，据泰科天润发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出货。泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。
泰科天润湖南项目位于湖南浏阳经开区（高新区）新能源标准厂区内，于2019年年底正式开建。其官网显示，该项目一期总投资5亿元，可实现年产6万片6英寸碳化硅晶圆。整个项目投产满产后，年产值预计可达13亿至14亿元。
园区动态
园区动态
1、总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州
7月27日，浙江省台州椒江区百日大会战重大项目集中签约仪式举行。会上，10个高端制造业和顶尖人才领衔项目签约，总投资额达227亿元，其中包括锗硅、砷化镓第三代半导体和化合物半导体衬底片制造两个半导体项目，两大项目合计投资达105亿元。
1）锗硅、砷化镓第三代半导体项目
项目由广州东方南粤基金管理有限公司与中国二冶集团有限公司共同投资开发，计划总投资100亿元，用地500亩，一期用地200亩。
该项目计划在台州湾数字经济产业园建设锗硅、砷化镓第三代化合物半导体芯片项目，产品广泛应用于通讯、汽车电子、电力、5G基站、物联网、人工智能以及军工等行业，达产后预计可实现年产值90亿元，年税收10亿元。
2）化合物半导体衬底片制造项目
该项目计划总投资5亿元，用地50亩，规划建设年产200万片4英寸砷化镓晶片和年产100万片6英寸砷化镓晶片的生产线，达产后预计可实现年销售收入8亿元。2、国家第三代半导体技术创新中心（江苏）发布首批揭榜挂帅项目
近日，国家第三代半导体技术创新中心（江苏）在2021年苏州国际精英创业周上发布了8个首批揭榜挂帅项目。
江苏省科技厅消息显示，项目围绕第三代半导体在功率电子、微波射频、新型显示等领域重大需求和前瞻应用技术布局，涵盖氮化物单晶材料、外延材料、金刚石材料三类核心材料，异质集成、Micro-LED显示技术、激光显示技术、功率微波四大产业领域和先进加工技术，以3亿元资金池和500亿元项目计划总投资，吸引全球英才共同参与重大科研攻关，进一步激发创新活力，集聚智力资源攻克“卡脖子”技术难题，加快形成以企业为主导的科技资源统筹及科技攻关机制，引导推动科技成果产业化。
国家第三代半导体技术创新中心由江苏省和深圳市联合共建，2021年获科技部正式批复。其中，江苏平台以位于苏州工业园区的江苏第三代半导体研究院为建设实施单位。
研究报告
产业链研究
报告名称：电子行业周报—后摩尔时代，看好第三代半导体战略发展机遇
报告链接：
https://pan.baidu.com/s/1b1aISMvKzSR15rFCvlmW1g
提取码:6666
更多产业数据，请点击进入浏览
- END -
关注更多栏目
● ● ● ●● ● ●
登录| 注册
