三星开始开发DDR6内存：采用MSAP封装技术 速率17000 Mbps

数码芝华士

几个月前，DDR5内存成为主流，但三星现在已经开始了下一代DDR6内存的早期开发过程。在韩国水原的一次研讨会上，三星负责测试和系统封装（TSP）的副总裁透露，随着未来内存本身性能的扩大，封装技术也需要不断发展。该公司证实，它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段，将采用MSAP技术。


根据三星的说法，MSAP已经被其竞争对手（SK海力士和美光）用于DDR5。那么，MSAP有什么新特点呢？MSAP修正后的半加成工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的，这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来加强电路连接，而且还将适应DDR6内存中增加的层数。

以前的帐篷法只能在圆形铜板上形成电路图案的区域进行涂层，而其他区域则被蚀刻掉。但在MSAP中，电路以外的区域都被镀上了一层，这样就可以形成更精细的电路。副总裁Ko说，随着存储芯片的容量和数据处理速度的提高，必须设计出适合这种情况的封装。随着层数的增加和工艺的复杂化，内存封装市场也将呈指数级增长。

在扇出（另一种封装技术，即把I/O终端放在芯片外面，让芯片变得更小，同时保留球状布局）型封装方面，三星正在应用扇出-晶圆级封装（FO-WLP）和扇出-面板级封装（FO-LP）。


三星预计其DDR6设计将在2024年之前完成，但预计2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言，DDR6内存的速度将是现有DDR5内存的两倍，传输速度可达12800 Mbps（JEDEC），超频后的速度可超过17000 Mbps。目前，三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200 Mbps，在JEDEC标准下提高了1.7倍，在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。

除了介绍新技术外，内存制造商强调了在未来我们可以看到DDR5-12600规格产品的出现，DDR5也有潜力继续用于消费平台。预计今年晚些时候，随着AMD的Zen 4和英特尔的Raptor Lake CPU平台的推出，DDR5内存模块的速度会更快，调整的幅度也更大。

cogae

指标还是不错的