多靶磁控滚筒镀膜机_全自动磁控镀膜系统_产品展示

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多靶磁控滚筒镀膜机

文章来源：admin 更新时间：2022-02-07

　　主要用途：

　　用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

　　系统组成:

　　主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。

　　技术指标：

　　极限真空度6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；

　　恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）

　　真空室：圆形真空室，尺寸550× 450mm

　　样品台：尺寸为直径350mmX280mm，滚筒结构；

　　磁控靶：有效溅射区为矩形350mmX150mm，数量：2支，标准型永磁靶，1支，标准型强磁靶，钎焊间接水冷结构；靶内水冷。靶基距为50～90mm连续可调（手动），并有调位距离指示

　　镀膜方式：

　　样品基片：负偏压 -200V

　　样品转盘：在基片转盘上有滚筒式样品架，其中两个工位开孔安装加热炉。样品除了公转外，在镀膜位置实现双平方向X轴移动。基片的温度从室温至300℃（样品上表面的温度，只需标定一次即可）连续可调可控，但两个加热器不同时工作，每次只有一个工作（一台加热控温电源），在真空下可轮流互换工作。样品转盘由步进电机驱动，计算机控制其公转到位及样品自转；

　　气路系统:质量流量控制器2路

　　可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统

　　计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位定点镀膜。

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