国产 IGBT模块选型需要注意以下几点：

IGBT模块的损耗

IGBT模块的损耗源于内部 IGBT和二极管（续流FWD、整流）芯片的损耗，主要是 IGBT和FWD产生的损耗。

IGBT不是一个理想开关，体现在：

（1）  IGBT在导通时有饱和电压– Vcesat

（2） IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff 这是 IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗，Eon和Eoff造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗 = IGBT总损耗。

FWD也存在两方面的损耗，因为：

（1）在正向导通（即续流）时有正向导通电压：Vf

（2）在反向恢复的过程中有反向恢复能耗：Erec。Vf造成导通损耗，Erec造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗 = FWD总损耗。 

Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec体现了 IGBT/FWD芯片的技术特征。因此 IGBT/FWD芯片技术不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。

IGBT模块的损耗- IGBT导通损耗

Vcesat和Ic的关系可以用左图的近似线性法来

表示：Vcesat = Vt0 + Rce×Ic

IGBT的导通损耗：

Pcond = d * Vcesat ×Ic，其中d 为 IGBT的导通占空比 

IGBT饱和电压的大小，与通过的电流（Ic），

芯片的结温（Tj）和门极电压（Vge）有关。  

IGBT模块的损耗- IGBT开关损耗

IGBT之所以存在开关能耗，是因为在开通和关断的瞬间，电流和电压有重叠期。 

在Vce与测试条件接近的情况，Eon和Eoff可近似地看作与Ic和Vce成正比：

Eon = EON × Ic/IC,NOM × Vce/测试条件

Eoff = EOFF× Ic/IC,NOM× Vce/测试条件  

IGBT的开关损耗：Psw = fsw ×(Eon + Eoff) ，fsw为开关频率。 

IGBT开关能耗的大小与开关时的电流（Ic）、电压（Vce）和芯片的结温（Tj）有关。 

Eon 定义：10% Ic 到 2%Vce n

Eoff 定义：10% Vce 到 2%Ic

IGBT模块的损耗-FWD导通损耗

Vf和If的关系可以用左图的近似线性法来表示：

Vf = U0 + Rd ×If  

FWD的导通损耗：Pf = d * Vf ×If，其中d 为FWD的导通占空比 。 

模块规格书里给出了FWD的正向导通电压的特征值：VF，及测试条件。  

FWD正向导通电压的大小，与通过的电流（If）和芯片的结温（Tj）有关。 

IGBT模块的损耗-FWD开关损耗

反向恢复是FWD的固有特性，发生在由正向导通转为反向阻断的瞬间，表现为通过反向电流后再恢复为反向阻断状态。  

在Vr与测试条件接近的情况，Erec可近似地看作与If和Vr成正比：

Erec = EREC ×If/IF,NOM × Vr/测试条件 

FWD的开关损耗：Prec = fsw×Erec，fsw为开关频率。 

FWD反向恢复能耗的大小与正向导通时的电流（If）、电流变化率dif/dt、反向电压（Vr）和芯片的结温（Tj）有关。 

IGBT模块的损耗-小结

IGBT 

导通损耗：

（1）与 IGBT芯片技术有关

（2）与运行条件有关：与电流成正比，与 IGBT占空比成正比，随Tj升高而增加。

（3）与驱动条件有关：随Vge的增加而减小 

开关损耗

（1）与 IGBT芯片技术有关

（2）与工作条件有关：与开关频率、电流、电压成正比，随Tj升高而增加。

（3）与驱动条件有关：随Rg的增大而增大，随门极关断电压的增加而减小。 

FWD 

导通损耗：

（1）与FWD芯片技术有关

（2）与工作条件有关：与电流成正比，与FWD占空比成正比。 

开关损耗

（1）与FWD芯片技术有关

（2）与工作条件有关：与开关频率、电流、电压成正比，随Tj升高而增加。

IGBT模块的温度

Rthch值的换算：Rthch per arm = Rthch per module × n

Rthch per arm = Rthch_ IGBT // Rthch_FWD

Rthha值的换算：Rthha per arm = Rthha×n

其中arm是一个桥臂单元（ IGBT+FWD），n是模块内的桥臂单元数。

对于含 整流桥的PIM，Rthch的换算可以按Rthjc之间的比例来算

IGBT模块的温度-小结

IGBT模块各个部分的温差T取决于

（1）损耗（芯片技术、运行条件、驱动条件）；

（2）热阻（模块规格、尺寸）  

模块芯片的结温是各部分的温差和环境温度之和：Tj = ΔTjc +ΔTch +ΔTha + Ta

如果假设壳温Tc恒定，则Tj = ΔTjc + Tc；

如果假设散热器温度Th恒定，则Tj =ΔTjh + Th。 

IGBT的平均结温取决于平均损耗、Rthjc和壳温Tc。 

在实际运行时， IGBT的结温是波动的，其波动幅度取决于瞬态损耗和Zthjc，而Zthjc又和运行条件（如变频器输出频率）有关。 

IGBT的峰值结温为平均结温+波动幅值。 

结论：

IGBT的结温（平均/峰值）和芯片技术、运行条件、驱动条件、 IGBT规格、模块尺寸、散热[敏感词]小和环境温度有关。

IGBT模块的安全运行

安全运行的基本条件： 

温度： IGBT结温峰值 Tj_peak≤ 125C°（150C°*）

模块规格书给出了两个 IGBT[敏感词]允许结温：

Tjmax = 150C°（150C°*）- 指无开关运行的恒导通状态下；

Tvj(max) = 125°（150C°*）- 指在正常的开关运行状态下。

Tvj(max)规定了 IGBT关断电流、短路、功率交变（PC）所允许的[敏感词]结温。

* 600V IGBT3；1200V和1700V IGBT4；3300V IGBT3 n

短路时间：Vcc=2500V, Vge<=15V, Tvj=150&deg;, Tp<=10us

其它：Vce ≤ VCES（即 IGBT的电压规格）

Vge ≤VGES（&plusmn;20V） Ic由RBSOA规定了在连续开关工作条件下，不超过2&times;IC,NOM。最小开通时间，等等。

萨科微半导体SLKOR

深圳市 萨科微slkor半导体有限公司是从事集成电路设计生产销售的高科技企业。 萨科微的“SLKOR” 品牌和技术来源于韩国，经过总经理宋仕强先生和 萨科微团队几年不懈的努力，已经实现了元器件产品核心IP设计、晶圆流片、封装测试、销售服务等关键环节的国产化，成为地地道道的“中国芯”，为突破欧美对我国芯片“卡脖子”的状况而奋斗。 萨科微半导体主产品为MOS场效应管、霍尔hall元件、 IGBT单管、SiC碳化硅器件、高速 光耦、 ESD静电保护二极管、 TVS瞬态抑制二极管、 肖特基二极管、 COOLMOS、电源管理IC等。2010年开始， 萨科微研发生产第三代半导体碳化硅SiC元器件，应用行业有新能源汽车、新能源发电、大功率开关电源和UPS不间断电源等，在[敏感词]工业和航天航空领域也有一些应用。“SLKOR”品牌的普通功率器件 MOS管等产品大量应用于锂电池保护板、扫地机器人、TWS蓝牙耳机、电子烟、户外照明、PCBA板厂等行业。

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